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MONSTER PAC Core Technology

世界初・世界唯一の
MONSTER PACコアテクノロジー

これまでの技術では、ウエハ(チップ)側にバンプを形成していました。
この場合、バンプはウエハ工程での作り込みが必要です。対応する設備も前工程用の設備が必要となり、工期も長くコスト高になるという欠点がありました。また、バンプの材料がはんだですので、基板との接合のために、260℃~270℃という高い温度と高い荷重が必要でした。そのため、物理的なダメージに対して脆弱なLow-kデバイスやMEMSチップに対して、深刻な影響を与えてしまうという欠点もありました。

これらの問題を解決したのが、世界初・世界唯一のMONSTER PACコアテクノロジーです。

  • 印刷工法により基板側にバンプを形成する
    「バンプ・オン・マテリアル」
  • 低温かつ低荷重で基板とチップを接合する
    「ダメージフリー接合」

バンプ・オン・マテリアル

基板等の材料側にバンプを形成し、接合は導電性ペーストによって行います。

ダメージフリー接合

低温かつ低荷重で接合します。接合の強度を保つための工夫がされており、強度も十分です。この低温・低荷重のダメージフリー接合は、5G世代のデバイスが持つ脆弱性に対する唯一の解です。

Low-kデバイスの組立

Low-kデバイスのトレンド

高速化、高機能化の要求により、LSI製造の配線ルールは微細化の一途です。高速化に重要なパラメータである配線間容量を減らすため、層間絶縁膜はポーラス化(Low-k化)が進みます。従って、物理的なダメージに対して益々弱くなります。

これまでの組立技術ではLow-k絶縁膜に何らかのダメージを与えることは避けられませんが、コネクテックジャパンのMONSTER PACはダメージフリー接合ですので、Low-k絶縁膜にダメージを与えることなく組み立てることが可能です。

MEMSデバイスの組立

個体構造と可動構造

既存の組立工法では、物理的なダメージに対して脆弱なMEMS/NEMSデバイスの実装ができません。左図はモノリシック構造のSAWフィルタの例ですが、右図の固体構造のMEMSデバイスであれば、既存の組立工法で実装が可能です。

しかし、次のMEMSスイッチのように、可動構造を持つMEMSデバイスは物理的に脆弱なため、既存の組立工法では実装できません。

他チップとのコンボ化

コネクテックジャパンが持つコアテクノロジーMONSTER PACは、低温・低荷重のダメージフリー接合ですので、MEMS/NEMSデバイスの組立・実装が可能です。

また、今後、高機能化の要求から、MEMSデバイスとLSIとのコンボ化が進むと考えられます。MONSTER PACは有機基板、テープ基板、セラミック基板など各種基板に対応できることと、材料側にバンプを形成しますので、LSIやRFなど他のチップとのコンボ化が容易です。

MONSTER PACラインナップ

これまでにお客様から頂いた開発のご要求をベースに、各種標準タイプをラインナップしております。
詳細につきましては、コネクテックジャパンまでお問い合わせください。

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