OSRDAOSRDA開発受託

試作プロセスメニュー

MonsterPACプロセスの他、
多様なプロセスメニューをご用意。

お客様のあらゆるご希望に応えすべく、半導体チップやモジュールなどの実装形態に応じて、セラミック、有機、フィルムなど様々な基板材料に応用可能な、MonsterPACプロセスの他、多様なプロセスメニューをご用意。お客様のご要望を達成するに最適なプロセスおよび実装構造を提案します。

ウエハバンプ

工 程 プロセス材料・装置 対応スペック
導電ペースト印刷 はんだ、銀、ステンシル印刷 最小60μmピッチ
スタッドバンプ 金スタッドバンプボンダー 最小50μmピッチ
無電解めっき Ni/Au JCAP・国内メーカー委託 最小10μm開口
電解めっき、再配線、FOWLP JCAP委託 層構成1M~3P3M
最大ウエハサイズΦ300mm

基板バンプ

工 程 プロセス材料・装置 対応スペック
導電ペースト・はんだ印刷 FPC、有機、セラミック基板上導電ペースト、ステンシル印刷 最小60μmピッチ

ウエハ分割

工 程 プロセス材料・装置 対応スペック
ブレードダイシング Si、圧電素子、ブレードダイサー 最大ウエハサイズΦ300mm
ステルスダイシング MEMS、国内メーカー委託 最大ウエハサイズΦ200mm

接着樹脂塗布

工 程 プロセス材料・装置 対応スペック
導電ペースト印刷 はんだ、銀/ステンシル印刷 最小60μmピッチ
スタッドバンプ 金/スタッドバンプボンダー 最小50μmピッチ
無電解めっき ニッケル金/JCAP・国内メーカー委託 最小10μm開口
電解めっき、再配線、FOWLP 銅/JCAP委託 層構成1M~3P3M
最大ウエハサイズΦ300mm

フリップチップ接合・基板間接合

工 程 プロセス材料・装置 対応スペック
導電ペースト熱圧着 ニッケル・金-銀/熱圧着ボンダー 最小精度±2um
はんだ溶接接合 金スタッドーはんだ、はんだーはんだ/熱圧着ボンダー、リフロー 最小精度±5um(ローカルリフロー)
最小精度±30um(アフターリフロー)
超音波接合 金-金/超音波フリップチップボンダー 最小精度±5um
ACF接合 金ー金、金-AL、金-ITO/マニュアルフリップチップボンダー 最小精度±5um

キュア

工 程 プロセス材料・装置 対応スペック
接着剤硬化 NCP、アンダフィル/クリーンオーブン 常温~250℃

樹脂封止

工 程 プロセス材料・装置 対応スペック
シート封止 樹脂シート/シート封止装置 最大封止エリア104mm×45mm
中空封止可能

マーキング

工 程 プロセス材料・装置
マーキング レーザーマーカー

基板分割

工 程 プロセス材料・装置
基板ダイシング 有機基板、セラミック、ブレードサイダー

検査

工 程 プロセス材料・装置 対応スペック
オープンショート検査 ソケット/オープンショートテスター 最大726ピン
ファンクション検査 ハンドラ/外部委託 個別仕様による
外観検査 測定顕微鏡、実態顕微鏡 個別仕様による

評価

工 程 プロセス材料・装置 対応スペック
物理評価 SEM、IR顕微鏡、レーザー変位計
X線等価装置、測定顕微鏡
最大ウエハサイズΦ300mm
信頼性試験 温度サイクル試験/内部装置
高温保存試験/内部装置
高温硬質バイアス試験/内部装置
その他/外部委託
-65℃~+150℃
最大200℃
60℃90%、85℃85%ほか
個別仕様による
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