開発受託

 

FSNIP

10ミクロンピッチの接合技術 FSNIP

AIやIoT等の新たな成長市場に牽引され進化し続ける半導体チップは、多機能化・高集積化とともに外部出力端子数が指数関数的に増大しています。この動向に対応するためコネクテックジャパンは、10ミクロンピッチの接合技術 FSNIPを開発いたします。

FSNIP

開発コンセプト「5G製品を超小型化する」

  • 1
    既存技術の課題を打開
  • 2
    世界初となる
    FSNIPを開発
  • 3
    小型・コストダウン
    限界を打破

従来の接合温度と最小ピッチ

半導体前工程の配線ルールはどんどん微細化が進み、チップサイズは小さくなりますが、現在の技術ではパッドピッチの微細化に限界があるため、パッドピッチがチップ実装面積を支配し、パッケージは小さくなりません。はんだの接合温度が260℃であるため、基板の熱膨張係数から最小接合ピッチは40ミクロンが限界となるからです。

従来の接合温度と最小ピッチ

世界初のバンプ/配線ピッチ10ミクロンを実現します

コネクテックジャパンが開発を進めているMONSTER
PAC®10㎛は、低温焼成導電性ペーストと、レプリカモールドを用いた凹版印刷法により、世界初のバンプ/配線ピッチ10ミクロンを実現します。

MONSTER PAC®10㎛

世界初10ミクロンピッチ配線・バンプ同時形成プロセス

世界初10ミクロンピッチ配線・バンプ同時形成プロセス

既存配線基板への10ミクロン配線形成

既存配線基板への10ミクロン配線形成
従来工法とFSNIPとの比較

10ミクロンピッチライン・バンプ一括転写結果

10ミクロンピッチライン・バンプ一括転写結果