原型制作过程示例
介绍各种流程示例
除了可应用于陶瓷、有机、薄膜等多种基板材料的MONSTER PAC工艺外,根据半导体芯片和模块的安装形式,我们还支持多种其他工艺。
我们提出最佳工艺和安装结构,以实现客户的要求。
工艺
工序
工艺材料与设备
应对案例
※接受咨询
※接受咨询
晶圆凸点 | 导电浆料印刷 | 焊料、银、模板印刷 | 最小60µm间距 |
---|---|---|---|
钉状凸点 | 金钉凸点焊接机 | 最小50µm间距 | |
无电解电镀 | 镍/金 JCAP及国内制造商委托 | 最小10µm开口 | |
电解电镀、重布线、FOWLP | JCAP委托 | 层结构1M到3P3M 最大晶圆尺寸Φ300mm |
基板凸点 | 导电浆料和焊料印刷 | FPC、有机、陶瓷基板上的导电浆料和模板印刷 | 最小60µm间距 |
---|
晶圆切割 | 刀片切割 | 硅、压电元件、刀片切割机 | 最大晶圆尺寸Φ300mm |
---|---|---|---|
隐形切割 | MEMS、国内制造商委托 | 最大晶圆尺寸Φ200mm |
粘合树脂涂布 | 导电浆料印刷 | 焊料、银/模板印刷 | 最小60µm间距 |
---|---|---|---|
钉状凸点 | 金/钉状凸点焊接机 | 最小50µm间距 | |
无电解电镀 | 镍/金 国内制造商委托 | 最小10µm开口 | |
电解电镀、重布线、FOWLP | 铜/JCAP委托 | 层结构1M到3P3M 最大晶圆尺寸Φ300mm |
翻转芯片键合 基板间键合 |
导电浆料热压接 | 镍金-银/热压接焊接机 | 最小精度±2µm |
---|---|---|---|
焊料焊接键合 | 金钉-焊料、焊料-焊料/热压接焊接机、回流 |
最小精度±5µm(局部回流) 最小精度±30µm(后回流) |
|
超声波键合 | 金-金/超声波翻转芯片焊接机 | 最小精度±5µm | |
ACF键合 | 金-金、金-铝、金-ITO/手动翻转芯片焊接机 | 最小精度±5µm |
固化 | 粘合剂硬化 | NCP、底填料/清洁烤箱 | 常温~250°C |
---|
树脂封装 | 薄膜封装 | 树脂膜/薄膜封装设备 |
最大封装区域 104mm×45mm, 可空心封装 |
---|
标记 | 标记 | 激光标记机 |
---|
基板切割 | 基板切割 | 有机基板、陶瓷、刀片切割机 |
---|
检查 | 开短路检查 | 插座/开短路测试仪 | 最大726引脚 |
---|---|---|---|
功能检查 | 搬运器/外部委托 | 根据具体规格 | |
外观检查 | 测量显微镜、体视显微镜 | 根据具体规格 |
评价 | 物理评价 | SEM、IR显微镜、激光位移计、X射线透射设备、测量显微镜、离子研磨 | 最大晶圆尺寸Φ300mm |
---|---|---|---|
可靠性测试 |
温度循环测试/内部设备 高温储存测试/内部设备 高温高湿偏置测试/内部设备 其他/外部委托 |
-65°C~+150°C,最高200°C,60°C90%、85°C85%等 根据具体规格 |
芯粒 | 被动/主动硅中介层制造(外部委托) | 支持玻璃贴合/剥离 TSV(铜通孔)/RDL/CMP |
晶圆尺寸 Φ200mm、Φ300mm 最小TSV直径Φ10µm 硅厚度50µm 最大2层RDL |
---|---|---|---|
2D、3D封装 | 焊料键合/金-金超声波键合/导电浆料键合/线键合/底填料 |
最小键合间距40µm 最小芯片间距30µm |