試作プロセス事例
多様なプロセス事例をご紹介します
半導体チップやモジュールなどの実装形態に応じて、セラミック、有機、フィルムなど
様々な基板材料に応用可能なMONSTER PACプロセスの他、多様なプロセスに対応しております。
お客様のご要望実現に向け最適なプロセスおよび実装構造をご提案します。
プロセス
工程
プロセス材料・装置
対応事例
※ご相談に応じます。
※ご相談に応じます。
ウエハバンプ | 導電ペースト印刷 | はんだ、銀、ステンシル印刷 | 最小60µmピッチ |
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スタッドバンプ | 金スタッドバンプボンダ | 最小50µmピッチ | |
無電解めっき | Ni/Au JCAP・国内メーカ委託 | 最小10µm開口 | |
電解めっき、再配線、FOWLP | JCAP委託 | 層構成1M~3P3M 最大ウエハサイズΦ300mm |
基板バンプ | 導電ペースト・はんだ印刷 | FPC、有機、セラミック基板上導電ペースト、ステンシル印刷 | 最小60µmピッチ |
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ウエハ分割 | ブレードダイシング | Si、圧電素子、ブレードダイサ | 最大ウエハサイズΦ300mm |
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ステルスダイシング | MEMS、国内メーカ委託 | 最大ウエハサイズΦ200mm |
接着樹脂塗布 | 導電ペースト印刷 | はんだ、銀/ステンシル印刷 | 最小60µmピッチ |
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スタッドバンプ | 金/スタッドバンプボンダ | 最小50µmピッチ | |
無電解めっき | ニッケル/金 国内メーカ委託 | 最小10µm開口 | |
電解めっき、再配線、FOWLP | 銅/JCAP委託 | 層構成1M~3P3M 最大ウエハサイズΦ300mm |
フリップチップ接合 基板間接合 |
導電ペースト熱圧着 | ニッケル・金-銀/熱圧着ボンダ | 最小精度±2µm |
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はんだ溶接接合 | 金スタッドーはんだ、はんだ-はんだ/熱圧着ボンダ、リフロー | 最小精度±5µm(ローカルリフロー) 最小精度±30µm(アフターリフロー) |
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超音波接合 | 金-金/超音波フリップチップボンダ | 最小精度±5µm | |
ACF接合 | 金ー金、金-AL、金-ITO/マニュアルフリップチップボンダ | 最小精度±5µm |
キュア | 接着剤硬化 | NCP、アンダーフィル/クリーンオーブン | 常温~250℃ |
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樹脂封止 | シート封止 | 樹脂シート/シート封止装置 | 最大封止エリア104mm×45mm 中空封止可能 |
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マーキング | マーキング | レーザマーカ | – |
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基板分割 | 基板ダイシング | 有機基板、セラミック、ブレードダイサ | – |
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検査 | オープンショート検査 | ソケット/オープンショートテスタ | 最大726ピン |
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ファンクション検査 | ハンドラ/外部委託 | 個別仕様による | |
外観検査 | 測定顕微鏡、実態顕微鏡 | 個別仕様による |
評価 | 物理評価 | SEM、IR顕微鏡、レーザ変位計 X線透過装置、測定顕微鏡、イオンミリング |
最大ウエハサイズΦ300mm |
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信頼性試験 | 温度サイクル試験/内部装置 高温保存試験/内部装置 高温高湿バイアス試験/内部装置 その他/外部委託 |
-65℃~+150℃ 最大200℃ 60℃90%、85℃85%ほか 個別仕様による |
チップレット | パッシブ/アクティブSiインターポーザ製造 (外部委託) |
サポートガラス貼付け/剥離 TSV(Cuビア)/RDL/CMP |
ウエハサイズ Φ200mm、Φ300mm 最小TSV径Φ10µm @Si厚50µm RDL最大2層 |
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2D、3D実装 | はんだ接合/Au-Au超音波接合/導電ペースト接合/ワイヤボンド/アンダーフィル | 最小接合ピッチ40µm 最小チップ間間隔30µm |